适用于 POU 的 UF 和低压 RO
作者:Gil K. Dhawan | 1997年
介绍
超滤和低压反渗透正日益成为生产超纯、无颗粒和无有机物的最终处理步骤。膜系统对于电子、制药和饮用水应用领域的终端用水尤其具有吸引力。
过去三年来,水处理技术取得了诸多进展,包括更先进的膜技术、更先进的分析设备,以及对杂质对水利用影响的更深入理解。本文回顾了其中一些进展,并列举了超滤和低压反渗透(RO)的一些应用案例。
电子工业用水点
在电子行业,水标准会定期修订,以反映不断变化的需求、原水质量的变化以及更复杂的分析技术的可用性。
生产超纯水的起点是进水,通常来自城市供水。此类水的标准由联邦环境保护署制定。表1列出了一些常见的污染物及其在饮用水中允许的最高浓度。
关于晶圆最终冲洗所需水质的讨论已有很多。已提出并规划了若干针对用水点的水质规范(表2 )。
过去五年来,生产电子行业所需水质的技术不断进步。超纯水的主要问题在于微生物的生长和胶体物质的存在。胶体污染可能由原水中的杂质(例如腐殖酸或胶体二氧化硅)、系统中的细菌生长以及细菌副产物(例如热原)引起。其他污染源包括水净化系统中使用的管道、阀门、仪表、泵和控制器中的物质浸出。
为了获得并保持最高品质的水,管道和其他组件必须使用不会在超纯水中析出的材料。含氟聚合物正在取代聚氯乙烯 (PVC) 成为超纯水系统的结构材料。
目前,电子行业用水点的最终处理步骤是通过0.2微米的微孔过滤器进行过滤,以去除此时可能仍存在于水中的微生物和胶体物质。大量经验表明,0.2微米的过滤不足以保持水的高质量。
最近的一项研究(参考文献2)表明,超滤技术在用水点提供的水质远优于传统的0.2微米过滤器。微孔膜系统可去除0.2至10微米的颗粒,入口压力为5至100 psi。而超滤技术可去除0.001至0.05微米的颗粒。
Millipore 提供的 5 加仑/分钟系统就是专为微电子行业使用点设计的系统之一。该系统采用 0.006 微米级螺旋卷式超滤膜,并配有 0.2 微米级滤膜。图 1显示了 Millipore 系统,其整个管道均由含氟聚合物材料制成。该系统在入口处设有消毒注入柱。该系统的排放阀出厂时设置为 0.1 加仑/分钟,因此回收率非常高(98%)。定期打开阀门,使水流完全通过并冲洗膜。
这些系统已使用胶体保留进行了测试(参考文献2)。这些测试在实验室和现场均有进行。此外,还对晶片进行了测试,以确定终端使用系统的性能。
首次比较了终端微滤器和超滤器,采用改进的粉尘密度指数法。去离子水从待测终端滤器流入SDI滤器。SDI滤器的堵塞率是终端滤器胶体去除效率的指标。堵塞率越高,去除胶体的效率就越低,反之亦然。
图2总结了本次测试的结果。图表显示,0.1微米和0.2微米的过滤器允许通过的颗粒和胶体数量大致相同。分子量为100,000(0.006微米)的超滤器表现出了更好的性能。
现场测试结果如图3所示。图中显示了0.2微米过滤器过滤后的去离子水的堵塞情况,以及超滤处理后的水的堵塞情况。显然,超滤处理的水质更高。
最后,还通过测量晶片污染情况对使用点超滤进行了评估。表3列出了在四个不同位置进行的测试结果。该表显示,与0.2微米过滤器相比,使用超滤时晶片上的颗粒显著减少。位置1和位置4还显示了未升级超滤下游管道的影响。
不同的研究正在开展更多的工作来了解和改善用水点的水质,但很明显,用水点超滤提供的冲洗水质量比以前使用 0.2 微米过滤器提供的冲洗水质量要好得多(表 4 )。
结论
超滤和低压反渗透在终端水处理中的应用前景广阔。高通量膜和“软化器”型反渗透膜的开发必将加速这些膜在使用点的应用,以满足众多行业对水质的极高要求。我们预计这些工艺在超纯水生产中的应用将日益广泛。
参考
1. Motomura, H., 微污染, 1984 年 3 月
2. Accomazzo, M. 和 Gaudet, PW,《去离子水的使用点超滤及其对微电子设备质量的影响》,Millipore 公司。
3. 加州卫生服务部卫生工程分部
4.美国药典,XX版,Mack Publishing Company,1980年。
5.《制药技术》,1983 年 10 月,PMA 去离子水委员会报告第 IIb 部分。
图 1
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图 2
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图3
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UF 系统采用螺旋卷式超滤膜,其等级为 0.006 微米,最终膜为 0.2 微米。 |
恒定流速(2.0 GPM)下测试过滤器下游 0.2 微米膜(293 毫米圆盘)的堵塞 |
超滤前后去离子水循环中 0.2 微米圆盘过滤器的堵塞情况 |
表 1 – 主要饮用水标准(参考文献 3)
污染物 | 最大污染物 水平(MCL) |
无机 | |
砷 | 0.05毫克/升 |
Ba(钡) | 1.0毫克/升 |
Cd(镉) | 0.01毫克/升 |
Cr(铬) | 0.05毫克/升 |
铅 | 0.05毫克/升 |
汞(Hg) | 0.002毫克/升 |
硒 | 0.01毫克/升 |
Ag(银) | 0.05毫克/升 |
氯化烃 - 杀虫剂 | |
异狄氏剂 | 0.0002毫克/升 |
林丹 | 0.004毫克/升 |
甲氧氯 | 0.1毫克/升 |
毒杀芬 | 0.005毫克/升 |
总三卤甲烷 | |
TTHM | 0.1毫克/升 |
微生物学(膜过滤技术) | |
大肠菌群 | 每100毫升含1粒 |
表 2 - 半导体行业超纯水规格
规格 | 16千 | 64千 | 256千 | 100万 |
电阻率 |
15 | 15-16 | 17-18 | 17-18 |
颗粒(微米) b | 0.2 | 0.2-0.1 | 0.1 | 0.1-0.5 |
颗粒物 (N/ cm3 ) | 200-300 | 50-150 | 20-50 | -- |
总有机物 (ppm) c碳 | 1 | 0.5-1 | 0.05-0.2 | 0.05 |
细菌 (N/ cm3 ) d | 1 | 0.5-1 | 0.02-0.2 | 0.01 |
二氧化硅(ppb) e | - | 20-30 | 10 | 10 |
溶解氧 (ppm) f | - | 0.1-0.5 | 0.1 | - |
a.用电阻率计测量。
b. 采用直接显微镜计数法测量。将聚碳酸酯滤膜上残留的颗粒染色,然后用光学显微镜计数;如果颗粒小于 0.1 微米,则用扫描电子显微镜计数。
c. 采用紫外氧化-电阻率检测法(Barnstead's Photochem)测量。湿式氧化-红外检测法用于测定高于0.2 ppm的总有机碳含量。
d. 采用培养法测量(ASTM F60-68)。
e. 采用比色钼酸盐反应二氧化硅法(ASTM 0689-80)测量。
f. 通过温克勒滴定法测量。
表 3 - 使用晶片污染进行使用点超滤评估
晶圆上的颗粒计数
考试地点 | 0.2 微米过滤去离子冲洗水 | 超滤去离子冲洗水 |
1 | 200-300 | 20-30* |
2 | 175-200 | 0-25 |
3 | 120 | 5 |
4 | 275 | 125* |
*超滤后的管道未升级
表 4 - 使用点超滤性能
工艺特性 | POU UF 之前 | POU UF 后 |
晶圆上的颗粒 | 175-200 | 0-25 |
残留物25°C | 1 转/分 | < 0.2 转/分 |
残留物 60°C | 11转/分 | < 0.2 转/分 |
残留物 90°C | 24转/分 | < 0.2 转/分 |
铁60摄氏度 | 170 百帕 | < 50 ppb |
屈服 | -- | +17-20% |
排序方式